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2011年NAND闪存市场七个故事万芳

发布时间:2020-02-14 11:07:17 阅读: 来源:硅酸盐防水剂厂家

2011年NAND闪存市场七个故事 - 单片机/处理器 - 电子工程网

以下是投资银行Barclays Capital分析师C.J. Muse所预测的该市场七大发展趋势:

1. 2011将是NAND闪存年

Muse认为,2011年将是属于NAND的年份;明年3x纳米将是主流制程,2x纳米也将扬眉吐气。不过该市场将呈现双头寡占的状态,由三星(Samsung)与东芝(Toshiba)/Sandisk两大厂商总计囊括近75%的生意(市占率分别为40%与33%)。2011年NAND厂商的资本支出规模也将首度超越DRAM厂商。

2. 苹果效应

平板装置风潮将带来庞大的NAND需求量;半导体设备业者应用材料(Applied Materials)曾预估,将需要一座月产能200 kwspm的初始晶圆厂,才能因应预期中的需求。光是苹果(Apple)本身,其明年需求量就可能是今年的两倍,甚至还有可能达到三倍——因为该品牌所有的Macbook笔记本电脑现在都是采用固态硬盘(SSD)。

3. 是领导者也是跟随者的三星

NAND制造商正朝着2x纳米制程节点迈进,而各家厂商不太相同,三星(Samsung)是27纳米,美光(Micron)是25纳米,东芝是24纳米,海力士(Hynix)则是26纳米。其中三星无疑是产量与获利之王,但却不一定是NAND制程技术的领先者。

在多层单元(multi layer cell)制造技术上,三星的起步较晚,但现在该公司已经同时具备3x纳米与2x纳米技术能力;三星2011年将迈入27纳米制程节点,将让产品成本比3x纳米制程降低35%。此外该公司也预期,到2010年底,3x纳米制程将可微缩至80%以下。

4. 要感谢东芝…

由于先前的东芝厂停电问题,NAND闪存明年第一季的价格可望上扬,也许幅度不是很大,但至少有助于该市场在2011年1~2的维持价格稳定;该停电事件大约让生产在线20%的产品受到影响。

5. 东芝平板装置效应?

东芝目前正积极量产32/24纳米制程,也发表了自有品牌的平板装置;该公司是在2010年8月开始量产24纳米制程,其7月份开始兴建的新晶圆厂Y5将在明年春天就绪。不过该厂并不像英特尔(Intel)的18英寸晶圆厂D1X,不支持EUV微影设备。

6. 海力士再起

海力士一直以来都遭遇棘手的良率问题,包括在6x纳米与4x纳米制程节点,但该公司最近的良率已经大幅改善,在3x纳米与2x纳米领域甚至晋身领导级厂商;其逆境求生的本能与优良的管理策略令人惊艳。

目前海力士正在进行3x纳米制程的转换,接下来很快就会迈进2x纳米制程,时程约在2011年中;该公司2010年的产能可望增加30kwspm,2011年估计将再成长3万片,不过得看他们是否能在衰弱的财务状况中,拿出额外的资本支出。

7. 美光力争上游(不包括英特尔)

最近美光公布2011年资本支出规模约在24~29亿美元之间,其中有三分之二是花在IM Flash新加坡(IMFS)的量产;该公司计划在2011年底将IMFS的产能再提升六成,达到10万片晶圆的月产能。

美光与英特尔在IMFS的持股本来各半,前者最近将持股比例提升到71%;IMFS采用的是2位MLC架构,应该优于东芝与三星所开发的3位MLC。美光预期在2011年完成转换至25纳米制程。

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